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super-economicaltypedigitalstorageoscilloscope +Bandwidth:20MHz-200MHz +2-Channel +Samplerate:100MS/s-1GS/s +Ultra-thinbody +7inchhighresolutionLCD +SCPI,andLabVIEWsupported | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
465.00MHzSAWFilter 465.0MHzSAWFilter ?CDMA450F-BandRFSAWFilter ?3.8x3.8x1.4mmSurface-mountPackage ?ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS) | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | MuRata | ||
465.0MHzSAWFilter 465.0MHzSAWFilter ?CDMA450F-BandRFSAWFilter ?3.8x3.8x1.4mmSurface-mountPackage ?ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS) | rfm RF Monolithics, Inc | rfm | ||
NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?High-speedswitching. ?Highallowablepowerdissipation. Applications ?DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,mot | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
BipolarTransistor BipolarTransistor 150V,2A,LowVCE(sat),NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Highallowablepowerdissipation Applications ?DC/DCconverter,relaydrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.165V(Max)(IC=1A;IB=0.1A) ?Fast-Switchingspeed ?Highallowablepowerdissipation ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DC/DCconverter ? | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
BipolarTransistor BipolarTransistor 150V,2A,LowVCE(sat),NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Highallowablepowerdissipation Applications ?DC/DCconverter,relaydrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
BipolarTransistor BipolarTransistor 150V,2A,LowVCE(sat),NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocess ?Largecurrentcapacity ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?High-speedswitching ?Highallowablepowerdissipation Applications ?DC/DCconverter,relaydrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
PWMControllerforDualBoostConverterwithLDO Features ?11Vto27VInputSupplyVoltageRange ?TwoStep-upRegulatorControllers .Peak-CurrentModeControl–FastTransient .100kHzto400kHzAdjustableSwitchingFrequency .10VGateDriveOutput ?10V,120mALDO ?5VLDO ?ProgrammableUVLOandHysteresis ?ProgrammableS | SILICONMITUSSilicon Mitus, Inc. 矽致微電子矽致微電子有限公司 | SILICONMITUS | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成電路大中集成電路股份有限公司 | SINOPWER |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_通用 （G）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
0.15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD159,2N5656,
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-100
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
0.15
- wtest：
20
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
S1202
- 制造商：
Okaya Electric America Inc
- 功能描述：
120 }30% 0.2uF 700V [h[q +85 -40
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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N/A |
23+ |
TO126 |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
AMC |
24+/25+ |
15 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
AMCC |
1822+ |
BGA |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
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AMCC |
BGAQFP |
6688 |
15 |
現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
AMCC |
20+ |
BGA |
35830 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
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AMCC |
24+ |
BGA |
35210 |
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