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SD103BWS

Marking：S5；Schottky Barrier Diode

FEATURES ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?NegligibleReverseRecoveryTime ?LowCapacitance ?LowForwardVoltageDrop

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

SD103BWS

Marking：S5；Package：SOD-323；Schottky Barrier Diode

FEATURES ●LowForwardVoltageDrop. ●GuardRingConstructionForTransient Protection. ●NegligibleReverseRecoveryTime. ●LowReverseCapacitance. APPLICATIONS ●Schottybarrierswitching.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司

SD103BWS

Marking：S5；Package：SOD-323；SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES LowForwardVoltageDrop GuardRingConstructionforTransientProtection NegligibleReverseRecoveryTime LowReverseCapacitance

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

SD103BWSFL

Marking：S5；Package：SOD-323FL；SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?NegligibleReverseRecoveryTime ?LowCapacitance ?LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ?Case:SOD-323FL ?Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ?App

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

SD103BX

Marking：S5；Package：SOD-523；Schottky Barrier Diode

FEATURES ?LowForwardVoltageDrop. ?GuardRingConstructionForTransientProtection. ?NegligibleReverseRecoveryTime. ?LowReverseCapacitance. APPLICATIONS ?Schottybarrierswitching.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司

SRD103CWS

Marking：S5；Package：SOD-323；SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ·Smallsurfacemountingtype ·Idealforautomatedplacement ·Ultrafastreverserecoverytime ·Lowpowerlosses,highefficiency ·Lowforwardvoltagedrop ·Highcurrentcapability

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

SS25

Marking：S5；Package：DO-214AA；SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

FEATURES Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop Hightemperaturesolderingguaranteed:250oC/101 secondsatterminals Built-instrainrelief Lowpowerloss,higheffciency PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Lowprofilepackage Forsurfac

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三陽電子三陽電子有限公司

SSM3K76CT

Marking：S5；Package：CST3；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?High-SpeedSwitching Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=840mΩ(max)(@VGS=1.5V) (3)Lowleakagecurrent

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K76FS

Marking：S5；Package：SSM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?High-SpeedSwitching Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=840mΩ(max)(@VGS=1.5V) (3)Lowleakagecurrent

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K76MFV

Marking：S5；Package：VESM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?High-SpeedSwitching ?AnalogSwitches Features (1)1.5Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance RDS(ON)=235mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=800mA) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=2.5V,ID=600mA) RDS(ON)=480mΩ(max)(@VGS=1.8V,ID=200mA) RDS(ON)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    S518T

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    功率開關(guān) （PSW）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    1.5KV

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    12W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    1500

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    12

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    S5

  • 制造商：

    Klein Tools, Inc.

  • 類別：

    工具 > 螺絲和螺母起子

  • 包裝：

    散裝

  • 工具類型：

    螺母扳手

  • 尖頭 - 類型：

    六角插口

  • 尺寸：

    5/32"

  • 長度 - 插片：

    3.00"（76.2mm）

  • 長度 - 總體：

    6.50"（165.1mm）

  • 特性：

    表面鍍鉻，帶色碼，中空軸

  • 描述：

    NUT DRIVR HEX SOCKET 5/32\

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
DIODES/SE
24+
DFN2020
35200
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HITACHI/日立
S5TMCSA1E474KTR
1206
4000
全新原裝現(xiàn)貨 樣品可售
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S5
33
33
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只做原廠原裝正品現(xiàn)貨 正品授權(quán)貨源可追溯
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更多S5供應(yīng)商 更新時間2025-4-9 17:06:00

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