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SCTWA35N65G2V-4

Marking：SCT35N65G2V；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247-4 package

Features ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Lowcapacitances ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications ?Switchingmodepowersupply ?DC-DCconverters ?Industrialmotorcontrol

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多SCTWA35N65G2V-4供應(yīng)商 更新時間2024-11-28 16:20:00

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