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SD112分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

SD112
廠商型號

SD112

參數(shù)屬性

SD112 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

功能描述

SD112

封裝外殼

TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

文件大小

122.7 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 KODENSHI_AUK CORP.
企業(yè)簡稱

KODENSHI可天士

中文名稱

可天士光電子集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 13:00:00

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晶體管資料

  • 型號:

    SD1120

  • 別名:

    SD112三極管、SD112晶體管、SD112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶放大 (A)_驅動管 (

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

    3DA39,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    10

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SD1127

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    175MHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    8W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    640mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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只做原裝現(xiàn)貨、主營光電元器件/門市現(xiàn)貨
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