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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET [TOPAZSEMICONDUCTOR] FEATURES ■Ultra-LowChannelOFFleakage, | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
Chip Type 2C2222A Geometry 0400 Polarity NPN Chiptype2C2222AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. | Semicoa Semicoa Semiconductor | Semicoa | ||
Chip Type 2C2222A Geometry 0400 Polarity NPN Chiptype2C2222AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. | Semicoa Semicoa Semiconductor | Semicoa | ||
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
FAST RECOVERY DIODES Stud Version Features ■HighpowerFASTrecoverydiodeseries ■4.5μsrecoverytime ■Highvoltageratingsupto4500V ■Highcurrentcapability ■Optimizedturnonandturnoffcharacteristics ■Lowforwardrecovery ■Fastandsoftreverserecovery ■Compressionbondedencapsulation ■Studversionc | IRF International Rectifier | IRF | ||
FAST RECOVERY DIODES Stud Version Features ■HighpowerFASTrecoverydiodeseries ■4.5μsrecoverytime ■Highvoltageratingsupto4500V ■Highcurrentcapability ■Optimizedturnonandturnoffcharacteristics ■Lowforwardrecovery ■Fastandsoftreverserecovery ■Compressionbondedencapsulation ■Studversionc | IRF International Rectifier | IRF | ||
350W UNIDIRECTIONAL TVS DIODES DESCRIPTION The SD03SD36isavailableinSOD323package FEATURES ?IEC6100-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact) ?IEC6100-4-4(EFT)40A(5/50ηs) ?350WattsPeakPulsePowerper(tp=8/20μs) ?ProtectsoneI/Oline(unidirectional) ?Lowclampingvoltage ?Workingvoltage:3.3V | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技 | AITSEMI | ||
Marking：24A；Package：SOD-323；TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Features Unidirection:450Wattspeakpulsepower perline(tp=8/20μs) ReplacementforMLV(0805) ProtectsonepowerorI/Oport Lowclampingvoltage Appliedtothetype3Vand36V 61000-4-2(ESD):Air30kV,Contact30kV | DAESAN Daesan Electronics Corp. | DAESAN | ||
Unidirectional TVS Diodes FEATURES IEC61000-4-2(ESD)#15kV(air),+8KkV (contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) 350WattsPeakPulsePowerper(tp=8/20ps) Protectsone1/0line(unidirectional) Lowclampingvoltage Workingvoltages:3.3Vto36V Lowleakagecurrent APPLICATIONS CellPhoneHands | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司 | UMW | ||
Marking：24W；Package：SOD-323；Unidirectional TVS Diodes Description TheSDxxSeriesisdesignedforapplicationsrequiringtransientovervoltageprotectioncapability.Theyare intendedforuseinvoltageandESDsensitiveequipmentsuchascomputers,printers,businessmachines, communicationsystems,medicalequipmentandotherapplications.Thes | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司 | GWSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
110V
- 最大電流允許值：
2A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-90
- vtest：
110
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
20
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
SD2
- 制造商：
Smarteq Wireless Ab
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUPERTEXINC |
24+ |
DIP-16P |
75 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ALPHA |
17+ |
SOT23 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ALPHA |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
Honeywell |
24+ |
原廠原裝 |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價(jià) | ||
SILICONIX |
96+ |
TO-206AF |
44 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
SD |
09+ |
SOP8 |
4200 |
原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢量多可發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
原廠 |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價(jià) | |||
SD |
15+ |
6698 |
詢價(jià) | ||||
Honeywell |
13+ |
23758 |
原裝分銷 |
詢價(jià) | |||
N/A |
24+ |
NA |
66800 |
原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) |
