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SDT96301

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

SEME-LAB

Seme LAB

SDT96305

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

SDT96306

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

SEME-LAB

Seme LAB

SFI9630

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFP9630

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:-10mA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFS9630

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFW9630

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFWI9630

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SIHF9630

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF9630

PowerMOSFETS

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?P-Channel ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethe designerwiththebestcombinationof

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號：

    SDT96305

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    功率開關(guān) （PSW）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    275V

  • 最大電流允許值：

    50A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    3DK210F,

  • 最大耗散功率：

    175W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    275

  • htest：

    999900

  • atest：

    50

  • wtest：

    175

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SDT9630

  • 制造商：

    SEME-LAB

  • 制造商全稱：

    Seme LAB

  • 功能描述：

    NPN SILICON POWER TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISC/固電
23+
TO-3
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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onsemi(安森美)
24+
SC75
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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24+
SC-75-3
25000
ON全系列可訂貨
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onsemi
2025+
SC-75-3
55740
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24+
N/A
69000
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更多SDT9630供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 16:26:00

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