SFH640-3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
SFH640-3規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The SFH640 has a GaAs infrared emitting diode emitter,
which is optically coupled to a silicon planar phototransistor
detector, and is incorporated in a plastic DIP-6 package.
It features a high current transfer ratio, low coupling
capacitance, and high isolation voltage.
The coupling device is designed for signal transmission
between two electrically separated circuits.
FEATURES
Phototransistor optocoupler in a 6 pin DIP
package with base connection
Very high collector emitter breakdown voltage,
BVCEO = 300 V
Isolation rated voltage: 5000 VRMS
Low coupling capacitance
High common m;ode transient immunity
Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
Telecom
Industrial controls
Battery powered equipment
Office machines
Programmable controllers
AGENCY APPROVALS
UL
cUL
DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5) available with option 1
CQC GB4943.1-2011
CQC GB8898-2011
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SFH640-3
- 功能描述：
晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 輸入類型：
DC
- 最大集電極/發(fā)射極電壓：
70 V
- 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：
0.4 V
- 絕緣電壓：
5300 Vrms
- 電流傳遞比：
100 % to 200 %
- 最大正向二極管電壓：
1.65 V
- 最大輸入二極管電流：
60 mA
- 最大集電極電流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作溫度：
+ 110 C
- 最小工作溫度：
- 55 C
- 封裝/箱體：
DIP-4
- 封裝：
Bulk
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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