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SGB02N60分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGB02N60
廠商型號

SGB02N60
參數(shù)屬性

SGB02N60 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3
功能描述

FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

385.58 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-20 23:00:00
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SGB02N60規(guī)格書詳情

SGB02N60屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGB02N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Fast IGBT in NPT-technology

? 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses

? Short circuit withstand time – 10 μs

? Designed for:

- Motor controls

- Inverter

? NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    SGB02N60ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，2A

  • 開關能量：

    64μJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    20ns/259ns

  • 測試條件：

    400V，2A，118 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 600V 6A 30W TO263-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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NA/
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23+
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INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
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Infineon
07+
TO-263
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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