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SGD02N60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGD02N60
廠商型號

SGD02N60
參數(shù)屬性

SGD02N60 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 30W TO252-3
功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

1.08647 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-1 22:28:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SGD02N60BUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，2A

  • 開關(guān)能量：

    64μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    20ns/259ns

  • 測試條件：

    400V，2A，118 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO252-3-11

  • 描述：

    IGBT 600V 6A 30W TO252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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