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SGP6N60UFD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGP6N60UFD
廠商型號

SGP6N60UFD
參數(shù)屬性

SGP6N60UFD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 30W TO220
功能描述

Ultra-Fast IGBT
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

570.21 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 23:01:00
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SGP6N60UFD規(guī)格書詳情

General Description

Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UFD series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 35ns (typ.)

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SGP6N60UFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，3A

  • 開關能量：

    57μJ（開），25μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    15ns/60ns

  • 測試條件：

    300V，3A，80 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 6A 30W TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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