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SGS5N150UF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SGS5N150UF |
| 參數(shù)屬性 | SGS5N150UF 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1500V 10A 50W TO220F |
| 功能描述 | General Description |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
289.87 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-23 19:49:00 |
| 人工找貨 | SGS5N150UF價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多SGS5N150UF規(guī)格書詳情
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.
SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
Features
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A
? High Input Impedance
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
SGS5N150UFTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
5.5V @ 10V，5A
- 開關(guān)能量：
190μJ（開），100μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
10ns/30ns
- 測試條件：
600V，5A，10 歐姆，10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220F-3
- 描述：
IGBT 1500V 10A 50W TO220F
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
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19960 |
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詢價(jià) |
