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SH32N65DM6AG分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

SH32N65DM6AG
廠商型號

SH32N65DM6AG

參數(shù)屬性

SH32N65DM6AG 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

功能描述

Automotive-grade N-channel 650 V, 89 m typ., 32 A MDmesh DM6 half?bridge topology Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

文件大小

476.17 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 8:50:00

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SH32N65DM6AG規(guī)格書詳情

SH32N65DM6AG屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產的SH32N65DM6AG晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? AQG 324 qualified

? Half-bridge power module

? 650 V blocking voltage

? Fast recovery body diode

? Very low switching energies

? Low package inductance

? Dice on direct bond copper (DBC) substrate

? Low thermal resistance

? Isolation rating of 3.4 kVrms/min

Description

This device combines two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT

is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy

assembly. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low

thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design

flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost,

and single switch through different combinations of the internal power switches.

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    SH32N65DM6AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述:

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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