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SI4178DY-T1-E3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI4178DY-T1-E3
廠商型號(hào)

SI4178DY-T1-E3

功能描述

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件大小

1.00669 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-29 14:23:00

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SI4178DY-T1-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Halogen-free

? TrenchFET? Power MOSFET

? Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation

? 100 Rg Tested

? 100 UIS Tested

APPLICATIONS

? Notebook CPU Core

- High-Side Switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4178DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 12A SO8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

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