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SI4410DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SI4410DYPBF |
| 功能描述 | N-Channel MOSFET |
| 文件大小 |
124.61 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 13:30:00 |
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SI4410DYPBF規(guī)格書詳情
Description
This N-channel HEXFET? Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.
● N-Channel MOSFET
● Low On-Resistance
● Low Gate Charge
● Surface Mount
● Logic Level Drive
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4410DYPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
58900 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
27600 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
235 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) |
