首頁>SI4410DYPBF>規(guī)格書詳情
SI4410DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
SI4410DYPBF規(guī)格書詳情
Description
This N-channel HEXFET? Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.
● N-Channel MOSFET
● Low On-Resistance
● Low Gate Charge
● Surface Mount
● Logic Level Drive
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI4410DYPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
SOP8 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
SOP-8 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
24+ |
58900 |
詢價 | ||||
IR |
1742+ |
SOP-8 |
98215 |
只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品! |
詢價 |
