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SI4420DY中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI4420DY
廠商型號(hào)

SI4420DY

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

113.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-16 20:00:00

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SI4420DY規(guī)格書(shū)詳情

Description

This N-channel HEXFET? power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low on-resistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.

The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.

● N-Channel MOSFET

● Low On-Resistance

● Low Gate Charge

● Surface Mount

● Logic Level Drive

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4420DY

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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