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SI4435DY中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4435DY
廠商型號

SI4435DY
功能描述

30V P-Channel PowerTrench MOSFET
文件大小

93.27 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-15 23:44:00
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SI4435DY規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V).

Features

? –8.8 A, –30 V RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = –10 V

RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –4.5 V

? Low gate charge (17nC typical)

? Fast switching speed

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? High power and current handling capability

Applications

? Power management

? Load switch

? Battery protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SI4435DY

  • 功能描述：

    MOSFET 30V SinGLE P-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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