SI4435DY中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SI4435DY |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm |
| 文件大小 |
82.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-15 23:44:00 |
| 人工找貨 | SI4435DY價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SI4435DY規(guī)格書詳情
VDSS = -30V
RDS(on) = 0.020?
Description
These P-channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4435DY
- 功能描述：
MOSFET 30V SinGLE P-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONI |
20+ |
SOP8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
523 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
SILCON |
2016+ |
SOP8 |
1000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
SOP |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2020+ |
SOP |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
SOP-8 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
SI |
24+ |
SOP8 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！ |
詢價(jià) | ||
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體) |
24+ |
SOP-8 |
10000 |
原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下! |
詢價(jià) | ||
SILICONIX |
2006 |
SOP8 |
100 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
SO8 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) |
