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SI4435DY中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI4435DY
廠商型號(hào)

SI4435DY

功能描述

Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm

文件大小

82.64 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 23:44:00

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SI4435DY規(guī)格書詳情

VDSS = -30V

RDS(on) = 0.020?

Description

These P-channel HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..

Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Surface Mount

Available in Tape & Reel

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4435DY

  • 功能描述:

    MOSFET 30V SinGLE P-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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