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SI4487DY-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SI4487DY-T1-GE3 |
| 功能描述 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
1.00343 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-16 23:00:00 |
| 人工找貨 | SI4487DY-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4487DY-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
TrenchFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
3613 |
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
502316 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
SI |
23+ |
SOP8P |
3000 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
SOP8 |
512 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
22+ |
8-SO |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
詢價(jià) | |||
SI |
2025+ |
SOP8 |
3750 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOP-8 |
25000 |
只有原裝絕對(duì)原裝,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
