訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI4686DY-T1-E3>詳情
SI4686DY-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V創(chuàng)新跡電子商
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI4686DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊小姐
- 手機(jī):
13430590551
- 詢價:
- 電話:
13430590551
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D
相近型號
- SI4684-A10-GMR
- SI4700-A15
- SI4684-A10-GM
- SI4700-A15-GMR
- SI4682DY-T1-E3
- SI4700-B15-GMR
- SI4682-A10-GMR
- SI4700-GMR
- SI4670DY-T1-GE3
- SI4701B15
- SI4670DY-T1-E3
- SI4701-B15-GMR
- SI4670DY
- SI4702
- SI4666DY-T1-GE3
- SI4702-B16-GM
- SI4666DY-T1-E3
- SI4702-B16-GMR
- SI4666DY
- SI4702-C19
- SI4646DY-T1-E3
- SI4702-C19-GM
- SI4642DY-T1-E3
- SI4702-C19-GMR
- SI4638DY-T1-E3
- SI4703-B16-GM
- SI4636DY-T1-E3
- SI4703-B16-GMR
- SI4634DY-T1-GE3
- SI4703-C19
- SI4703-C19-GM
- SI4634DY-T1-E3
- SI4703-C19-GMR
- SI4634DY
- SI4704-B20
- SI4630DY-T1-GE3
- SI4704-B20-GMR
- SI4630DY-T1-E3
- SI4704-C40-GM
- SI4630DY
- SI4704-D60-GMR
- SI4628DY-T1-GE3
- SI4704-D60-GUR
- SI4626ADY-T1-E3
- SI4705-B20-GMR
- SI4622DY-T1-E3
- SI4705-C40-GMR
- SI4621DY-T1-E3
- SI4705-D60-GM
- SI4620DY-T1-GE3