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AO4832

Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AO4832

N-Channel0-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AO4832

30VDualN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AO4832

DualN-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

AO4832

DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RDs(ON)=16mQ@VGS=10V RDS(ON)=20mQ@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDs(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

AO4832

30VN-ChannelMOSFET

ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

AO4832

30VDualN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)withlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSand generalpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4832

DualN-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=30V,ID=12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

AO4832-HF

DualN-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

AO4832L

Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI4832

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 9A 2.5W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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SOP-8
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全新原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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更多SI4832供應(yīng)商 更新時間2025-4-7 14:04:00

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