SI6463DQ中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SI6463DQ |
| 功能描述 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 文件大小 |
97.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-21 23:00:00 |
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SI6463DQ規(guī)格書詳情
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
Features
? –8.8 A, –20 V. RDS(ON) = 0.0125 ? @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 0.018 ? @ VGS = –2.5 V
? Extended VGSS range (±12V) for battery applications
? Low gate charge
? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
? Low profile TSSOP-8 package
Applications
? Load switch
? Motor drive
? DC/DC conversion
? Power management
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI6463DQ
- 功能描述：
MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI |
24+ |
NA/ |
3200 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY |
13+ |
TSSOP-8 |
11300 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
SSOP-8 |
65428 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
2016+ |
TSSOP8P |
6523 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨! |
詢價 | ||
FAIRCHIL |
20+ |
TSSOP8 |
65790 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSSOP-8 |
28529 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價 | ||
SI |
21+ |
TSSOP8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY |
1709+ |
TSSOP-8 |
32500 |
普通 |
詢價 | ||
SI6463DQ |
5458 |
5458 |
詢價 | ||||
VISHAY |
23+ |
TSSOP-8L |
19567 |
詢價 |
