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SI7858BDP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SI7858BDP-T1-GE3 |
| 功能描述 | N-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
361.28 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-31 13:12:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI7858BDP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
TrenchFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
PowerPAK? SO8 |
7350 |
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NA/ |
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23+ |
QFN |
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VISHAY |
24+ |
N/A |
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
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22+ |
QFN8 |
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at |
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