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SI7900AEDN-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SI7900AEDN-T1-GE3 |
| 功能描述 | Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET, Common Drain |
| 文件大小 |
624.91 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 10:12:00 |
| 人工找貨 | SI7900AEDN-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SI7900AEDN-T1-GE3規(guī)格書詳情
FEATURES
? TrenchFET? power MOSFET: 1.8 V rated
? New PowerPak? package?
- Low thermal resistance, RthJC?
- Low 1.07 mm profile
? 3000 V ESD protection
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
? Protection switch for 1-2 Li-ion batteries
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI7900AEDN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2022+ |
PowerPAK |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長(zhǎng)期供貨。 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
28000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
24+ |
PowerPAK? 1212-8 雙 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
QFN |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2021/2022+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK? 1212-8 雙 |
61842 |
二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
PPAK121 |
8650 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
1840+ |
QFN |
427 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) |
