SI7949DP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
SI7949DP規(guī)格書詳情
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET? Power MOSFET
? New Low Thermal Resistance PowerPAK?
Package with Low 1.07 mm Profile
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SI7949DP
- 功能描述:
MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
21+ |
SOIC-8 |
5590 |
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詢價 | ||
Vishay |
23+ |
二極管 |
5864 |
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VISHAY |
23+ |
8-SOIC |
6680 |
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VISHAY |
20+ |
DFN-8 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
QFN8 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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