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SI8429DB-T1-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V上海專毅
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI8429DB-T1-E1
- 功能描述:
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
上海專毅電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
田小姐/付先生/張小姐
- 手機(jī):
17621633780
- 詢價(jià):
- 電話:
021-80184920
- 地址:
上海市天目西路290號(hào)康吉大廈市政樓1203室
相近型號(hào)
- SI8430AB-C-IS1
- SI8430AB-C-IS1R
- SI84-270
- SI8430AB-C-ISR
- SI8425DY-T1-E3
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