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SI9912DY-T1-E3

Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies

DESCRIPTION TheSi9912isadualMOSFEThigh-speeddriverwithbreak-before-make.Itisdesignedtooperateinhighfrequencydc-dcswitchmodepowersupplies.Thehigh-sidedriverisbootstrappedtohandlethehighvoltageslewrateassociatedwith“floating”high-sidegatedrivers.Eachdriveri

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI9912DY-T1-E3

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SI9912DY-T1-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    30ns,20ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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