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SI9926DY中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI9926DY
廠商型號

SI9926DY

功能描述

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

85.4 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 8:00:00

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SI9926DY規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel 2.5V specified MOSFETs use Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 10V).

Features

? 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 ? @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.043 ? @ VGS = 2.5 V.

? Optimized for use in battery protection circuits

? ±10 VGSS allows for wide operating voltage range

? Low gate charge

Applications

? Battery protection

? Load switch

? Power management

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI9926DY

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 DUAL NCH 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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