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SIA406DJ-T1-GE3

N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?NewThermallyEnhancedPowerPAK?SC-70Package ???-SmallFootprintArea ???-LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableDe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIA406DJ-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
V
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80000
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10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Vishay(威世)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
6500
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
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Vishay(威世)
22+
NA
6500
原廠原裝現(xiàn)貨
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QFN
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多SIA406DJ-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 22:30:00

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