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SIE830DF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SIE830DF
廠商型號(hào)

SIE830DF

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

222.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-6 22:58:00

SIE830DF規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Extremely Low Qgd WFET? Technology for

? ?Low Switching Losses

? Ultra Low Thermal Resistance Using

? ?Top-Exposed PolarPAK? Package for

? ?Double-Sided Cooling

? Leadframe-Based New Encapsulated Package

? ?- Die Not Exposed

? ?- Same Layout Regardless of Die Size

? Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through

? 100 Rg and UIS Tested

APPLICATIONS

? VRM

? Point-of-Load

? Synchronous Rectification

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIE830DF

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
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