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SIHD4N80E

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):1.27Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHD4N80E

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHD4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHD4N80ET1-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHD4N80ET4-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHD4N80ET5-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP4N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Se

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHU4N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHU4N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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VISHAY/威世
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更多SIHD4N80E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-12 10:36:00

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