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SIHF16N50C-E3

Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF16N50C-E3

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB16N50C-E3

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB16N50C-E3

GateChargeImprovedComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIHF16N50C-E3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多SIHF16N50C-E3供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 17:56:00

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