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SIS413DN

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIS413DN_V01

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIS413DN-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQA413CEJW

AutomotiveP-Channel20V(D-S)175?CMOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?Wettableflankterminals ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQA413CEJW

AutomotiveP-Channel20V(D-S)175°CMOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?Wettableflankterminals ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

SS413A

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HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

SS413A

Low-costDigitalBipolarHall-effectSensorICs

DESCRIPTION TheSS41FandSS41Garesmall,versatiledigitalHall-effect devicesthatareoperatedbythemagneticfieldfroma permanentmagnetoranelectromagnet,andaredesignedto respondtoalternatingNorthandSouthpoles. Abuilt-inregulatorprovidesenhancedstabilityofoperation

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

SS413A

TemperatureCompensatedDigitalHall-EffectSensorICs

DESCRIPTION TheSS400SeriessensorICsaresmall,versatile,digitalHall-effectdevicesthatareoperatedbythemagneticfieldfromapermanentmagnetoranelectromagnet,andaredesignedtorespondtoalternatingNorthandSouthpolesortoaSouthpoleonly.Bipolar,latchingandunipolarm

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

SS413A-L

TemperatureCompensatedDigitalHall-EffectSensorICs

DESCRIPTION TheSS400SeriessensorICsaresmall,versatile,digitalHall-effectdevicesthatareoperatedbythemagneticfieldfromapermanentmagnetoranelectromagnet,andaredesignedtorespondtoalternatingNorthandSouthpolesortoaSouthpoleonly.Bipolar,latchingandunipolarm

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

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ST413JA

CrystalClockOscillator

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIS413DN

  • 功能描述：

    MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    30 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    +/- 20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    18 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    9.4 mOhms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerPAK 1212-8

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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更多SIS413DN供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 15:21:00

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