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SKP04N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKP04N60XKSA1

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

04N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

04N60H-HF

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

04N60H-H-HF

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

04N60I

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

04N60J

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AIHD04N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIHD04N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AP04N60H-HF

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SKP04N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
P-TO220-3-1
8866
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24+
TO-220
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原裝現(xiàn)貨熱賣
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON
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更多SKP04N60供應商 更新時間2025-4-26 15:30:00

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