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SMA540B中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SMA540B
廠商型號

SMA540B

功能描述

Active Biased RF Transistor

文件大小

32.409 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 17:56:00

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SMA540B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The SMA540B is a NPN Transistor integrating a current mirror as biasing. In this way the IC (collector current) can be controlled setting the current at Bias pin according to IC = 10 * IBIAS. The IBIAS current is easy adjustable using an external resistor. SMA540B is housed in ultra miniature SOT323-4L package(LEAD FREE), the relative dimensions are 1.15mmx1.8mm with 0.8mm thickness.

? HIGH GAIN LOW NOISE AMPLIFIERS Gms = 19 dB at 1.8 GHz

? CURRENT EASY ADJUSTABLE BY AN EXTERNAL RESISTOR

? OPEN COLLECTOR OUTPUT

? TYPICAL SUPPLY VOLTAGE: 1.4-3.3 V

? TRANSITION FREQUENCY 42 GHz

? ULTRA MINIATURE SOT323-4L PACKAGE (LEAD FREE)

APPLICATIONS

? WIDEBAND APPLICATIONS

? CELLULAR AND CORDLESS TELEPHONES

? HIGH FREQUENCY OSCILLATORS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SMA540B

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Gain Lo-Noise

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

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