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CED11P20

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. ComparabletoAEC-Q101.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU11P20

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. ComparabletoAEC-Q101.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU11P20

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36Ω@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多SMM11P20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 10:20:00

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