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SMT003P18H1中文資料新硅能微電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SMT003P18H1
廠商型號(hào)

SMT003P18H1

功能描述

Advanced MOSFETprocess technology

文件大小

314.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Silikron Semiconductor Co.,LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SILIKRON新硅能微電子

中文名稱

新硅能微電子(蘇州)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 22:30:00

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SMT003P18H1規(guī)格書(shū)詳情

Features and Benefits:

? Advanced MOSFETprocess technology

? Special designed for PWM, load switching and

generalpurpose applications

? Ultra low on-resistance with low gate charge

? Fast switching and reverse body recovery

? 150℃ operating temperature

Description:

It utilizes the latest processing techniques to achieve the high cell density and reduces the on-resistancewith

high repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient andreliable

device for use in power switching application and a wide variety of other applications.

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