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SN75372DR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

SN75372DR
廠商型號(hào)

SN75372DR

參數(shù)屬性

SN75372DR 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

DUAL MOSFET DRIVER

絲印標(biāo)識(shí)

75372

封裝外殼

SOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

656.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TI德州儀器

中文名稱

美國(guó)德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-31 17:44:00

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SN75372DR規(guī)格書詳情

? Dual Circuits Capable of Driving

High-Capacitance Loads at High Speeds

? Output Supply Voltage Range up to 24 V

? Low Standby Power Dissipation

description

The SN75372 is a dual NAND gate interface

circuit designed to drive power MOSFETs from

TTL inputs. It provides high current and voltage

levels necessary to drive large capacitive loads at

high speeds. The device operates from a VCC1 of

5 V and a VCC2 of up to 24 V.

The SN75372 is characterized for operation from

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SN75372DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    500mA,500mA

  • 輸入類型:

    反相

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Texas Instruments
24+
NA
41925
TI優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-原裝正品
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TI
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