首頁(yè)>SPB100N08S2-07>規(guī)格書(shū)詳情
SPB100N08S2-07中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
SPB100N08S2-07 |
| 功能描述 | OptiMOS Power-Transistor |
| 文件大小 |
309.28 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 18:48:00 |
| 人工找貨 | SPB100N08S2-07價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SPB100N08S2-07
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7936 |
詢(xún)價(jià) | |||
西門(mén)子 |
24+ |
TO-263 |
13000 |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
P-TO263-3-2 |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
INENOI |
20+ |
SOT263 |
14500 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
INF |
2022+ |
SOT263 |
14500 |
原廠(chǎng)代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO263-3-2 |
1000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO263-3-2 |
11200 |
原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢(xún)價(jià) | ||
BOURNS |
24+ |
SMD |
42960 |
詢(xún)價(jià) |
