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SPD01N60C3

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD01N60C3

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD01N60C3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPD01N60S5

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AP01N60H

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP01N60H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AP01N60H,J-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP01N60H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AP01N60J

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP01N60J-HF

FastSwitchingCharacteristics

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    SPD01N60

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
24+
TO252
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
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Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
7233
原廠渠道供應,大量現貨,原型號開票。
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INFINEON
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TO252
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一級代理/全新原裝現貨/長期供應!
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INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17524
原裝進口假一罰十
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INFINEON/英飛凌
2019+
TO252
6700
原廠渠道 可含稅出貨
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Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON
24+
TO252
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INFINEON
2016+
SOT252
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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infineon
1415+
28500
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INFINEON
17+
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更多SPD01N60供應商 更新時間2025-2-22 9:24:00

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