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KSC5502D

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=1200V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.6V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSC5502DT

HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502DT

HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502DT

NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502DT

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.6V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSC5502DTM

HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502DTTU

NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502TU

NPNPlanarSiliconTransistor

HighVoltagePowerSwitchModeApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?WideSafeOperatingArea ?SuitableforElectronicBallastApplication

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

LT5502

400MHzQuadratureIFDemodulatorwithRSSI

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT5502

800MHzto1.5GHzDirectConversionQuadratureDemodulator

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    SPT5502

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    700V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

    3DK304F,

  • 最大耗散功率：

    6W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    700

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    6

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPT5502

  • 制造商：

    SSDI

  • 制造商全稱：

    Solid States Devices, Inc

  • 功能描述：

    1 AMP HIGH VOLTAGE/HIGH SPEED NPN TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Spectron
SMD
23+
50000
原廠渠道 支持實(shí)單 量大優(yōu)惠
 詢價(jià)
EMC
23+
SOP8
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
EMC
24+
DIP8
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
EMC
2447
DIP8
100500
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
EMC
23+
8DIP
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
EMC
99/00+
DIP8
895
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
2023+
8/DIP
3000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
EMC
23+
DIP8
895
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
EMC
20+
DIP8
895
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
EMC
21+
DIP8
895
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
更多SPT5502供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 9:00:00

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