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SS12P4C_V01

High Current Density Surface-Mount Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?Lowthermalimpedance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveordering

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多SS12P4C_V01供應(yīng)商 更新時間2025-2-23 15:14:00