SSM6J502NU中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	SSM6J502NU
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS
絲印標(biāo)識	SP2
封裝外殼	UDFN6B
文件大小	433.66 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-5-26 9:11:00
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1. Applications

? Power Management Switches

2. Features

(1) 1.5-V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 60.5 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 38.4 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 28.3 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 23.1 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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