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SSP6N55中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSP6N55
廠商型號(hào)

SSP6N55

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

297.88 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-21 20:17:00

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SSP6N55規(guī)格書詳情

FEATURES

? Lower RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Lower input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SSP6N55

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220VAR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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