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2SA1015	文件：154.23 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,L,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor 2SC1815isrecommended.)	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SA1015	文件：196.1 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V(min), IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=?6V,IC=?150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages	COLOURTELEVISIONC9PJChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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2SA1015	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015	文件：1.11619 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ComplementaryTo2SC1815. ●ExcellentHFELinearity. ●Highvoltageandhighcurrent. ●Lownoise. ●Collector-EmittervoltageBVCEO=-50V. APPLICATIONS ●Lowfrequency,lownoiseamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SA1015	文件：290.79 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SA1015	文件：124.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPTransistor DESCRIPTION ?HighVoltageandHighCurrent Vceo=-50V(Min.),Ic=-150mA(Max) ?ExcellenthFELinearity ?LowNoise ?ComplementtoType2SC1815 APPLICATIONS ?AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications ?Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SA1015	文件：176.91 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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更多ST2SA1015Y供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-17 8:32:00

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