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2SA1175

PNPSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SA1175isdesignedforuseindriverstageofAFamplifier. FEATURES ●HighhFEandexcellentlinearity:200TYP. hFE(IC=-1.0mA) ●ComplementarytotheNEC2SC2785NPNtransistor.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SA1175

NewJerseySemi-ConductorProducts,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

ST2SA1175

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintosixgroups,R,J,H, F,EandKaccordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ST2SA1175E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-19 10:01:00