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2SB1188

Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

2SB1188

SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1766 ●Weight:0.05g ●RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

2SB1188

MediumpowerTransistor(-32V,-2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

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EpitaxialPlanarPNPTransistors

EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

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PNPSiliconMediumPowerTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1188

MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1188

Mediumpowertransistor(-32V,-2A)

FEATURES LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1188

MediumpowerTransistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SB1188

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SB1188

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

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更多ST2SB1188QU供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 8:32:00

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