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STB120N4F6_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE正納電子一部

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  • 廠家型號(hào)：

    STB120N4F6

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST(意法)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    20094

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-28 16:52:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：STB120N4F6品牌：ST(意法)

正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持

  • 芯片型號(hào)：

    STB120N4F6

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    18 頁(yè)

  • 文件大小：

    998.25 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-channel 40 V, 3.5 m廓 , 80 A, DPAK, D?PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STB120N4F6

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號(hào)新欣大廈B座318

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