首頁>STB155N3H6>規(guī)格書詳情
STB155N3H6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STB155N3H6 |
| 功能描述 | N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, D PAK, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET |
| 文件大小 |
949.48 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-21 14:30:00 |
| 人工找貨 | STB155N3H6價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STB155N3H6規(guī)格書詳情
Description
These devices are 30 V N-channel Power MOSFETs realized using ST`s proprietary STripFET? VI technology. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest R DS(on) in all packages.
Features
■ RDS(on) * Qg industry benchmark
■ Extremely low on-resistance RDS(on)
■ High avalanche ruggedness
Application
■ Switching applications
■ Automotive
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STB155N3H6
- 功能描述：
MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
STM原廠目錄 |
24+ |
D2PAK |
28500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | |||
ST |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
詢價(jià) | |||
ST |
TO252 |
93480 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
63880 |
本公司只售原裝 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) |
