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STB21NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB21NM60ND
廠商型號(hào)

STB21NM60ND

功能描述

N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

文件大小

545.74 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-15 10:30:00

STB21NM60ND規(guī)格書詳情

Description

The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Features

■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB21NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
ST
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
ST/意法
22+
NA
99181
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨
詢價(jià)
ST
14+PBF
D2-PAK
900
現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-263
504140
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
ST
22
TO-263
25000
3月31原裝,微信報(bào)價(jià)
詢價(jià)
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
詢價(jià)
ST/意法
23+
D2PAK
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
STM
21+
TO-263-3 (D2PAK)
7000
原裝正品 有掛有貨
詢價(jià)
ST
24+
TO-263
7500
詢價(jià)