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STB30N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB30N65M5
廠商型號(hào)

STB30N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.125 廓, 22 A, MDmesh??V Power MOSFET D?PAK, TO-220FP, I?PAK, TO-220, TO-247

絲印標(biāo)識(shí)

30N65M5

封裝外殼

D2PAK

文件大小

1.28182 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-24 15:29:00

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STB30N65M5規(guī)格書(shū)詳情

Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

■ Worldwide best RDS(on)*area

■ Higher VDSS rating

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

■ 100 avalanche tested

■ High dv/dt capability

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB30N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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